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國家級高新技術企業,中國半導體功率器件五強企業,國家博士后科研工作站、國家創新型企業。
場效應晶體管/MOSFET->超結MOS
場效應晶體管/MOSFET
->200V以下系列
->250V-400V系列
->500V-650V系列
->700V-800V系列
->900V-1500V系列
->超結MOS
->SIC MOSFET
絕緣柵雙極型晶體管/IGBT
->IGBT
->IGBT co-packed with SiC SBD
->IGBT Module
肖特基二極管/SBD
->HBR系列(Tjmax=175℃)
->MBR系列(Tjmax=150℃)
->SBL系列(Tjmax=125℃)
->軸向系列
->SMD貼片系列
->TRENCH SBD系列(Tjmax=150℃)
->碳化硅肖特基二極管
快恢復二極管/FRD
->FRD
->FRD Module
可控硅/SCR
->單向晶閘管
->雙向三象限晶閘管(Tjmax=125度)
->雙向四象限晶閘管(Tjmax=125度)
->雙向三象限晶閘管(Tjmax=150度)
->SCR Module
雙極型晶體管/BJT
->中小功率雙極型晶體管
->高頻高壓雙極型晶體管
->達林頓晶體管
->200V-350V(350V-680V)低頻大功率晶體管
->380V-450V(700V-800V)低頻大功率晶體管
->450V-500V(700V-1050V)低頻大功率晶體管
->600V以上(1100V以上)低頻大功率晶體管
智能功率模塊/IPM
->IPM
穩壓二極管/ZD
->ZD
高壓整流二極管/HVRD
->HVRD
->HVRD Module
datasheet
Part Number
Photo
ID@25℃(A)
ID@100℃(A)
PD(W)
BVdss(V)
Rds(on)(Ω)
Package
商城
MS65R040
75
55
735
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0.04
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MS65R044R
75
55
735
650
0.044
TO-247
MS65R120
30
18
284.1
650
0.12
TO-263
MS65R120
30
18
290.7
650
0.12
TO-247
MS65R120
30
18
45
650
0.12
TO-220MF-K1
MS65R120
30
18
284.1
650
0.12
TO-220C
MS65R135R
30
18
45
650
0.135
TO-220MF-K1
MS65R170
20
12
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650
0.18
TO-220C
MS65R170
20
12
202
650
0.18
TO-263
MS65R170
20
12
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TO-247
MS65R170
20
12
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0.18
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TO-247
MS65R190R
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12
44
650
0.19
TO-220MF-K1
MS65R360
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0.4
TO-220MF-K1
MS65R360
11
6.6
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650
0.4
DPAK
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40
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MS65R400R
11
6.6
129
650
0.45
DPAK
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29
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0.6
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MS65R600
7
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650
0.6
DPAK
MS65R620R
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0.62
TO-220MF-K1
MS65R620R
7
5.6
79
650
0.62
DPAK
|
網站公約
|
技術產品
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