華微電(dian)子(zi):事業部改革(ge)持(chi)續深入，高端產品有望取得突破 

                 ;                                                                                                      中(zhong)投證券 調研報告

事件：公司發布(bu)公告,16年QI—Q3營業(ye)收入9.61億(yi)元,同比增長(chang)3.65%,凈利(li)潤3796萬元,同比(bi)增長35.58%。

中投電子觀點:

事業部改革加速推動(dong)高端產(chan)品放量,進一(yi)步加大對IGBT等(deng)高端(duan)產品(pin)研發投入，發展后勁十足。今年以來公司持續推進事業部改革(ge)，IGBT產品團(tuan)隊重點(dian)推進第(di)六代IGBT以及MOS產品的系列化工作：高端二極管團隊重(zhong)點推進TRENCH SBD、 FRD產品的系列化工作:雙極產(chan)品團隊(dui)重(zhong)點(dian)推進(jin)中高端應(ying)用SCR、放電管產品的(de)系列化工(gong)作。通過進一步推進模塊技術(shu)向(xiang)高端(duan)應用領域拓展,公(gong)司實現了技術推(tui)廣由(you)芯(xin)片(pian)向(xiang)模塊延伸，由(you)單(dan)一產品向(xiang)解決方案(an)延伸,最(zui)大化發揮(hui)在技術(shu)領域的綜合優勢,快速實(shi)現對重點目標應用領域的拓展工(gong)作。 隨著公司新的產(chan)品逐漸量產(chan),公司的發展后勁得到了(le)有力保障,全年業績仍有保障。

持(chi)續加(jia)強工藝平臺建設(she),工藝(yi)技(ji)術轉化能(neng)力(li)進一步增強。對工藝(yi)技(ji)術的掌(zhang)控能(neng)力(li)是(shi)功率(lv)半(ban)導體(ti)企(qi)業持續發展(zhan)的核心競爭(zheng)力(li)，公司在原有技術積累(lei)的基礎上不斷進行(xing)工藝優化(hua)，目前已實(shi)現4英寸線對BJT、放電管、可控硅(gui)產品工(gong)藝技術(shu)平臺的整合與(yu)優化,五(wu)英寸線對平面(mian)、TRENCH高端二極管、CMOS工藝技術平臺的整合與優化(hua)，六英寸線對MOSFET.IGBT工藝技術平(ping)臺的整合與(yu)優化:公司全面的工藝技(ji)術“掌控能(neng)力”已充分體(ti)現(xian)。

積極(ji)推進第三代新材料器件的(de)研發(fa).制造,以(yi)實現(xian)在功率半(ban)導(dao)體領域對國際(ji)領先企業的彎道超車,力爭在“十三五”末期(qi)在國(guo)內功率半導體(ti)器件行業中率先(xian)進入國(guo)際領先(xian)企業行列,樹(shu)立具有(you)國際影響力的民(min)族品牌。

投資要點:公司是專注于設計+材料(liao)創(chuang)新,以(yi)及(ji)特(te)種工藝(yi)的“芯片級”功率半(ban)導體龍頭企業,亦是(shi)技術積累超50年(nian)的稀缺“自主可(ke)控(kong)”標的(de)。公(gong)司憑借長期技(ji)術和市場積累將實現行業(ye)突破,適逢(feng)本土(tu)龍(long)頭(tou)企(qi)業投融資(zi)熱潮,以(yi)及(ji)英飛凌等國際同業龍頭高(gao)速(su)發展的“周期”;實際控制人更替和股權(quan)激勵(li)計劃表(biao)征內(nei)部治理告一段落(luo),預計迎來可持續(xu)的高速發展周期。

高成長行業爆發和自主可(ke)控,綜合催生IGBT/智能模(mo)塊IPM等高端功率半導體(ti)飛(fei)速成長(chang)。汽車(che)及其(qi)充電設備對IGBT類(lei)芯(xin)片和模(mo)塊產(chan)品需(xu)求旺盛,功率模塊成本占比高(gao)達(da)約10%,僅本土需求(qiu)即達600億(yi)元規(gui)模(mo)歷(li)史上,公(gong)司曾為(wei)國家軍工行(xing)業相關建設提(ti)供堅(jian)強保障和支撐,現今,在高端武(wu)器裝備(bei)電磁化發展趨勢明(ming)顯下,國產(chan)替代實現自主(zhu)可控已迫在眉睫(jie);公司能(neng)力(li)已達國際水平,并具備稀缺的(de)“實際量產落地”能力,預計將(jiang)依托旺盛需(xu)求(qiu),實(shi)現(xian)高附加(jia)值產品放(fang)量,盈利水平將獲得(de)快速提升(sheng)。第三(san)代功率器件(jian)迎巨大潛在市場,公(gong)司具備迎接的充足主客(ke)觀條(tiao)件。

第(di)三代(dai)功率半導(dao)體與現有高(gao)端產品(pin),在材料(liao)/結構(gou)/工藝/封(feng)裝(zhuang)等核心環節,具備明顯的(de)傳承性,公(gong)司IDM模(mo)式下完(wan)全能夠滿足新材(cai)料器件的(de)發展需要(yao),技術向上延伸水到渠(qu)成,高(gao)端產能擴容和技術升級(ji)發展預期(qi)十(shi)分強烈。

給予”強烈推薦(jian)“評級目標(biao)價14元。16-18年(nian)凈利潤預計0.95/2.05/3.50 億元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增速121%/115%/71%。行業資源整合(he)趨 勢(shi)給予公司較強(qiang)內生外(wai)延發展預期;軍工(gong)/新能源亟待(dai)突破,高附(fu)加值產品持續 優(you)化獲利能力;功(gong)率半導體戰略(lve)新興格局(ju)下,“大行業小公(gong)司”現(xian)狀給予足夠空 間;鑒(jian)于未來業績高成PEG考(kao)量,已(yi)經(jing)呈現銷(xiao)售收入和毛(mao)利率提升的趨勢,以(yi)及潛在突破(po)行業(ye)估值中(zhong)樞較(jiao)高和標的(de)的(de)稀(xi)缺性,給予17年(nian)50倍PE,目標 價14元(yuan),具長(chang)期投(tou)資(zi)價值。

風險提示:本(ben)土半導體國產化替代(dai),以及新應用領域拓展不達預期的風險。