高端功率半導體不斷取得突破，有望進入汽車領域

                                ;                                                    中投證券 孫遠峰,耿(geng)琛,張(zhang)雷,張(zhang)磊

       中投電子觀點：

高(gao)端(duan)產(chan)(chan)品逐步放(fang)量，產(chan)(chan)品結構(gou)顯著升級，有望進軍(jun)汽(qi)車領(ling)域(yu)(yu)。16 年H1 毛利(li)率(lv)23.78%，同(tong)比增1.3pct，公(gong)司(si)(si)秉(bing)承將(jiang)功(gong)率(lv)半導體做強做精(jing)的(de)“工匠(jiang)”精(jing)神，推(tui)動公(gong)司(si)(si)產(chan)(chan)品線(xian)向第六代(dai)IGBT 等(deng)高(gao)端(duan)領(ling)域(yu)(yu)不斷拓展，目前已逐步具備向客戶(hu)提供一站式整(zheng)體解決方案的(de)能力。公(gong)司(si)(si)上(shang)半年順利(li)通過了 TS16949 體系認證（全稱是“ 質量管理體系－汽(qi)車行業生產(chan)(chan)件與相關服務(wu)件的(de)組(zu)織實施ISO9001： 2008 的(de)特殊要求(qiu)” ） ，該體系認證的(de)通過，為公(gong)司(si)(si)進軍(jun)汽(qi)車領(ling)域(yu)(yu)奠定了基礎(chu)，使公(gong)司(si)(si)專(zhuan)國(guo)際知(zhi)名企業站在同(tong)一競爭平臺，公(gong)司(si)(si)未來有望深度受益新能源汽(qi)車爆(bao)發的(de)產(chan)(chan)業趨勢。

事業(ye)部改革加速推(tui)進(jin)，進(jin)一(yi)(yi)步(bu)加大(da)對IGBT 等(deng)高(gao)端產(chan)(chan)品(pin)(pin)研(yan)發(fa)投入，發(fa)展(zhan)后勁十足。公(gong)司上半年持續推(tui)進(jin)事業(ye)部改革，IGBT 產(chan)(chan)品(pin)(pin)團隊重(zhong)(zhong)點(dian)(dian)推(tui)進(jin)第(di)六代IGBT 以及 MOS 產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)系列(lie)化(hua)工(gong)作(zuo)；高(gao)端二極管團隊重(zhong)(zhong)點(dian)(dian)推(tui)進(jin) TRENCHSBD、 FRD 產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)系列(lie)化(hua)工(gong)作(zuo)；雙極產(chan)(chan)品(pin)(pin)團隊重(zhong)(zhong)點(dian)(dian)推(tui)進(jin)中高(gao)端應(ying)(ying)用 SCR、放(fang)電管產(chan)(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)系列(lie)化(hua)工(gong)作(zuo)。通過(guo)進(jin)一(yi)(yi)步(bu)推(tui)進(jin)模(mo)塊(kuai)技(ji)術(shu)向(xiang)高(gao)端應(ying)(ying)用領域(yu)拓展(zhan)，公(gong)司實現(xian)了(le)技(ji)術(shu)推(tui)廣由(you)芯片向(xiang)模(mo)塊(kuai)延伸，由(you)單一(yi)(yi)產(chan)(chan)品(pin)(pin)向(xiang)解決方(fang)案延伸，最大(da)化(hua)發(fa)揮在(zai)技(ji)術(shu)領域(yu)的(de)(de)綜合(he)優勢，快速實現(xian)對重(zhong)(zhong)點(dian)(dian)目標應(ying)(ying)用領域(yu)的(de)(de)拓展(zhan)工(gong)作(zuo)。隨著公(gong)司新的(de)(de)產(chan)(chan)品(pin)(pin)逐漸(jian)量產(chan)(chan)，公(gong)司的(de)(de)發(fa)展(zhan)后勁得到了(le)有力保障，全年業(ye)績仍有保障。

持續(xu)加強(qiang)(qiang)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)平(ping)臺(tai)建設，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)轉化(hua)能(neng)力進(jin)一步(bu)增強(qiang)(qiang)。對工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)的(de)掌控(kong)能(neng)力是功(gong)率半導體企業持續(xu)發展的(de)核心競爭(zheng)力，公司在原有(you)技(ji)(ji)術(shu)(shu)積累的(de)基(ji)礎上不斷進(jin)行工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)優化(hua)，目前已實現 4 英(ying)(ying)寸線對 BJT、放電(dian)管(guan)、可控(kong)硅(gui)產(chan)品工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平(ping)臺(tai)的(de)整(zheng)合與優化(hua)，五(wu)英(ying)(ying)寸線對平(ping)面、TRENCH 高(gao)端(duan)二極管(guan)、CMOS 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平(ping)臺(tai)的(de)整(zheng)合與優化(hua)，六(liu)英(ying)(ying)寸線對 MOSFET、IGBT 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平(ping)臺(tai)的(de)整(zheng)合專(zhuan)優化(hua)；公司全面的(de)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)“掌控(kong)能(neng)力”已充分體現。

積(ji)極(ji)推(tui)進(jin)第三代新材料器件(jian)的研發(fa)、制造，以實(shi)現在功(gong)率半導體領域對國(guo)(guo)際(ji)領先企(qi)業的彎道(dao)超車，力爭在“十(shi)三五”末(mo)期在國(guo)(guo)內功(gong)率半導體器件(jian)行(xing)業中率先進(jin)入國(guo)(guo)際(ji)領先企(qi)業行(xing)列，樹立具有國(guo)(guo)際(ji)影(ying)響力的民族品牌。

投資(zi)要點：

公司是(shi)且注于設計(ji)+材料創新(xin)，以及(ji)特(te)種工藝的(de)“芯片級(ji)”功(gong)率半導體(ti)龍頭企業(ye)，亦是(shi)技術積累超50 年的(de)A 股(gu)稀缺“自主(zhu)可控”標的(de)。公司憑借長期技術和市場積累將實(shi)現行業(ye)突破，適逢(feng)本土龍頭企業(ye)投融資熱潮(chao)，以及(ji)英飛凌等國際(ji)同業(ye)龍頭高速(su)發展(zhan)(zhan)的(de)“黃金周期”；實(shi)際(ji)控制人更替和股(gu)權(quan)激勵(li)計(ji)劃表征內部治(zhi)理告一(yi)段落(luo)，預計(ji)迎(ying)來可持續的(de)高速(su)發展(zhan)(zhan)周期。

高成(cheng)長行業爆發和自主可控(kong)，綜合催生(sheng)IGBT/智(zhi)能(neng)模塊(kuai)IPM 等高端功率半導(dao)體飛速成(cheng)長。新能(neng)源汽車(che)及(ji)其充電設備(bei)對IGBT 類芯(xin)片和模塊(kuai)產(chan)品需求(qiu)旺盛(sheng)，功率模塊(kuai)成(cheng)本占比高達約10%，僅本土需求(qiu)即達600 億元視模；歷史上，公司曾為國家軍(jun)工行業相關建設提供堅強保障和支(zhi)撐(cheng)，現(xian)今，在高端武器裝備(bei)電磁化發展趨(qu)勢(shi)明(ming)顯(xian)下，國產(chan)替代實現(xian)自主可控(kong)已迫在眉(mei)睫(jie)；公司能(neng)力已達國際水平，并具備(bei)稀(xi)缺的“實際量產(chan)落地(di)”能(neng)力，預計(ji)將(jiang)依托旺盛(sheng)需求(qiu)，實現(xian)高附加值產(chan)品放(fang)量，盈利(li)水平將(jiang)獲(huo)得快速提升。

第(di)三(san)代(dai)功率器件迎巨大(da)潛(qian)在(zai)(zai)市場(chang)，公(gong)司具(ju)(ju)備(bei)迎接新機遇(yu)的充足(zu)主(zhu)客觀條件。第(di)三(san)代(dai)功率半導體與現有高(gao)端產品，在(zai)(zai)材(cai)料/結構/工藝/封裝(zhuang)等核心(xin)環節，具(ju)(ju)備(bei)明(ming)顯的傳(chuan)承性，公(gong)司IDM 模式(shi)下完全能(neng)夠滿足(zu)新材(cai)料器件的發(fa)展需要，技(ji)術向(xiang)上(shang)延(yan)伸(shen)水(shui)到渠成，高(gao)端產能(neng)擴(kuo)容和技(ji)術升級發(fa)展預期十分強烈(lie)。

高(gao)端(duan)功率半導體(ti)(ti)不(bu)斷取得突(tu)(tu)破(po)，有望(wang)進(jin)入(ru)汽車領(ling)域(yu).pdf給(gei)予”強(qiang)(qiang)烈(lie)推薦“評級，目標價(jia)14 元。16-18 年(nian)凈利(li)潤預(yu)(yu)計0.95/2.05/3.50億元，EPS 0.13/0.28/0.47 元，同比增速121%/115%/71%。行業(ye)資源整(zheng)合趨(qu)勢給(gei)予公(gong)司較強(qiang)(qiang)內生(sheng)外延發展預(yu)(yu)期(qi)(qi)；軍(jun)工/新能源亟(ji)待突(tu)(tu)破(po)，高(gao)附(fu)加值產品持續優化獲利(li)能力；功率半導體(ti)(ti)戓略新興(xing)格局下，“大行業(ye)小公(gong)司”現狀(zhuang)給(gei)予足夠空(kong)間；鑒于未來業(ye)績高(gao)成(cheng)長(chang)和(he)(he)PEG 考(kao)量，已經呈(cheng)現銷售(shou)收入(ru)和(he)(he)毛(mao)利(li)率提(ti)升(sheng)的趨(qu)勢，以及(ji)潛在(zai)突(tu)(tu)破(po)行業(ye)估值中樞較高(gao)和(he)(he)標的的稀(xi)缺性，給(gei)予17 年(nian)50 倍PE，目標價(jia)14 元，具長(chang)期(qi)(qi)投(tou)資價(jia)值。

風險(xian)提示(shi)：本土半導體國產化替(ti)代，以及新應用領域拓展不(bu)達預期(qi)的風險(xian)。

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