高(gao)成長(chang)行業(ye)爆發(fa)和自(zi)主(zhu)可控，綜合催生IGBT/智能(neng)模(mo)塊(kuai)IPM等高(gao)端(duan)功率半導體飛速(su)成長(chang)。新能(neng)源汽車及(ji)其充電設(she)備對IGBT類(lei)芯片(pian)和模(mo)塊(kuai)產(chan)品需(xu) 求旺盛，功率模(mo)塊(kuai)成本占比(bi)高(gao)達約10%，僅本土(tu)需(xu)求即達600億(yi)元規模(mo)； 歷史上，公司曾(ceng)為國(guo)家軍(jun)工(gong)行業(ye)相關建(jian)設(she)提(ti)供堅(jian)強保障(zhang)和支撐，現(xian)今(jin)，在(zai) 高(gao)端(duan)武器裝備電磁(ci)化發(fa)展(zhan)趨勢明(ming)顯(xian)下,國(guo)產(chan)替代(dai)實(shi)現(xian)自(zi)主(zhu)可控已迫在(zai)眉睫(jie)； 公司能(neng)力(li)已達國(guo)際水(shui)平，并具備稀缺的"實(shi)際量產(chan)落地"能(neng)力(li)，預(yu)計將(jiang)(jiang)依 托旺盛需(xu)求，實(shi)現(xian)高(gao)附加值產(chan)品放量，盈利水(shui)平將(jiang)(jiang)獲得快(kuai)速(su)提(ti)升。

第(di)三代功率(lv)器(qi)件迎巨大潛在(zai)市(shi)場，公司具備迎接新機遇的(de)(de)充足主客觀條件。 第(di)三代功率(lv)半(ban)導(dao)體與現有高端(duan)產品，在(zai)材料(liao)/結構/工藝(yi)/封裝(zhuang)等核心環節(jie)，具備明顯的(de)(de)傳承性，公司IDM模式下完全能夠滿(man)足新材料(liao)器(qi)件的(de)(de)發展需 要，技術(shu)向(xiang)上(shang)延(yan)伸水到(dao)渠成(cheng)，高端(duan)產能擴容和技術(shu)升級(ji)發展預期十(shi)分強烈。

高門檻行業(ye)龍(long)頭(tou)有望依托其產(chan)業(ye)資源(yuan)，提供更關(guan)鍵的(de)"產(chan)業(ye)服勞〃。擺脫以往國外(wai)引(yin)進和(he)自(zi)主培養的(de)傳統(tong)模式，實現人才繁(fan)榮(rong)，是半導體發(fa)展(zhan)核心動 因；公(gong)司在功率半導體領(ling)域50多(duo)年的(de)資源(yuan)優勢可謂鳳毛(mao)麟(lin)角，有望帶動 相關(guan)產(chan)業(ye)服務，形成集群創新發(fa)展(zhan)。

首次覆蓋給(gei)予〃強(qiang)烈推(tui)薦"評級。15-17年凈利潤預(yu)(yu)計0.41/0.95/2.05億(yi) 元(yuan)，EPS 0.06/0.13/0.28元(yuan)，同比増速14%/134%/115%。行業資源(yuan)整 合趨勢(shi)給(gei)予公司(si)(si)較強(qiang)內生外延發展預(yu)(yu)期(qi)；軍工/新(xin)能源(yuan)亟待突(tu)破(po)，高(gao)附加值(zhi) 產品持續優化獲利能力；功率半導體(ti)戰(zhan)略新(xin)興(xing)格局下(xia)，"大行業小公司(si)(si)"現 狀(zhuang)給(gei)予足夠空間；鑒于未來業績高(gao)成長(chang)和PEG考量，以及潛在突(tu)破(po)行業估 值(zhi)中樞較高(gao)，給(gei)予17年35倍PE ,第一目標價9.8元(yuan)，具長(chang)期(qi)投資價值(zhi)。 今風險提示：本土半導體(ti)國產化替代，以及新(xin)應用(yong)領(ling)域(yu)拓展不(bu)達預(yu)(yu)期(qi)的風險。